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SK하이닉스, 최고 사양 'HBM3' D램 개발...프리미엄 메모리 시장 공략 가속화
SK하이닉스, 최고 사양 'HBM3' D램 개발...프리미엄 메모리 시장 공략 가속화
  • 장용준 기자
  • 승인 2021.10.20 09:33
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[업다운뉴스 장용준 기자] SK하이닉스가 차세대 메모리로 꼽히는 ‘고대역폭 메모리’(HBM) 신제품 개발에 성공했다. 최근 고부가가치를 지닌 프리미엄 메모리 반도체 시장 공략을 가속화하면서 초격차 전략을 확대하고 있다는 분석이 나온다.

SK하이닉스가 현존 최고 사양 D램인 ‘HBM3’를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 이번 HBM3는 HBM의 4세대 제품이다.

SK하이닉스가 개발한 HBM3 D램. [사진=SK하이닉스 제공]
SK하이닉스가 개발한 HBM3 D램. [사진=SK하이닉스 제공]

SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발하며 이 시장의 주도권을 확고히 했다는 평가다.

SK하이닉스 관계자는 "이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론, 품질 수준도 크게 높였다"고 강조했다.

반도체업계의 한 관계자는 "HBM은 아직 시장 규모를 예측하기 어렵지만 확대일로를 걸을 것"이라며 "업계 1~2위인 삼성전자와 SK하이닉스가 지난해부터 HBM2E를 출시하면서 규모를 키웠는데, SK하이닉스가 이번에 업그레이드된 HBM3를 개발하면서 프리미엄 메모리 시장을 국내 기업들이 이끌 수 있을 것"이라고 내다봤다.

실제로 향후 HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재되며, 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 전망이다. 

차선용 SK하이닉스 부사장(D램개발담당)은 "세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어, 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다"며 "앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 할 것"이라고 강조했다.